Aby stworzyć pakiet pamięci DRAM 3D TSV DRAM, układy scalone DDR4 są szlifowane do kilkudziesięciu mikrometrów, a następnie nakłuwane, tak by posiadały setki malutkich otworków. Potem są łączone pionowo za pomocą elektrod przechodzących przez otwory. Dzięki temu moduł 64 GB pamięci TSV działa według producenta dwukrotnie szybciej niż moduł 64 GB z pakietami połączonymi przewodami, a jego zużycie energii jest o około połowę niższe.

W przyszłości Samsung zamierza wykorzystać technologię 3D TSV do spiętrzenia więcej niż czterech układów scalonych DDR4, co pozwoli stworzyć moduły DRAM o jeszcze większej gęstości. Ma to przyspieszyć ekspansję na rynku tych pamięci i przejście z DDR3 na DDR4 w serwerach.

Według Gartnera światowy rynek pamięci DRAM osiągnie do końca roku wartość 38,6 mld dol., a w przeliczeniu na pojemność – 29,8 mld jednostek (odpowiednik 1 GB). Na rynek serwerów ma przypadać w tym roku ponad 20 procent produkcji pamięci DRAM, tj. ok. 6,7 mld jednostek.

Artykuł Samsung rozpoczyna masową produkcję pamięci DDR4 z 3D TSV pochodzi z serwisu CRN.