Pojedyncze czipy Samsung V-NAND zapewniają pojemność 128 gigabitów. Wykorzystano w nich opracowaną przez koreańską firmę pionową strukturę komórek pamięci w oparciu o technologię 3D Charge Trap Flash (CTF) oraz technologię procesu pionowego wiązania. Pozwala ona na łączenie trójwymiarowych układów komórek (płaskie warstwy można ułożyć w trójwymiarowe konstrukcje). Dzięki zastosowaniu obu tych technologii pamięć 3D V-NAND umożliwia według producenta ponad dwukrotną miniaturyzację w porównaniu z pamięcią flash klasy 20 nm.

– Będziemy wprowadzać na rynek produkty typu 3D V-NAND o lepszych własnościach i większej pojemności – zapowiedział Krzysztof Tarczyński, Unit Product Marketing Manager w Samsungu.

Według producenta nowa pamięć 3D V-NAND charakteryzuje się większą niezawodnością (od 2 do 10 razy) i dwukrotnie wyższą prędkością zapisu w porównaniu z konwencjonalnymi pamięciami NAND flash wyprodukowanymi w technologii 10 nm ze swobodnymi bramkami. Nowy produkt można wykorzystać we wbudowanych pamięciach NAND i nośnikach SSD.