Prace obejmują nowy sposób przechowywania danych w kategorii SCM (Storage Class Memory). Celem jest stworzenie produktu, który będzie 1000 razy szybszy i miał 1000 razy dłuższą żywotność niż pamięci flash. Ponadto powinien on mieć znacząco lepsze parametry dotyczące zużycia energii i trwałości w porównaniu z kośćmi DRAM, pozostając atrakcyjny pod względem ceny.

Partnerzy zapowiadają wspólne wprowadzenie nowych pamięci na rynek. Wiceprezes SanDiska twierdzi, że zrewolucjonizują one rozwiązania komputerowe w najbliższych latach. SanDisk już wcześniej pracował nad pamięciami ReRAM (Resistive RAM), które uważane są za alternatywę dla NAND flash. HP od lat prowadzi badania nad Memristorami, które również mogłyby zastąpić flash, umożliwiając także operacje logiczne.

Różni producenci pracują obecnie nad połączeniem używanych obecnie typów pamięci, tak aby stworzyć produkt, łączący cechy kości RAM, pamięci flash a do tego ma dużą pojemność. Konkurentem duetu HP i SanDisk są na tym polu Intel i Micron. Ich zapowiedziane wspólne dzieło – pozbawione tranzystorów pamięci 3D XPoint, ma posiadać takie właściwości, do których dążą HP i SanDisk, tzn. prędkością i trwałością tysiąckrotnie przewyższać NAND flash.