Zakład już poprzednio dysponował niemałym budżetem. Zapowiedziana obecna tura finansowania jest o ok. 30 proc. wyższa od poprzedniej. Fabryka w Yokkaichi ma przede wszystkim zwiększyć produkcję pamięci flash 3D, które cechuje kilkukrotnie większa pojemność od klasycznych NAND-ów, umożliwiając miniaturyzację i poszerzenie możliwości smartfonów i pamięci masowych. W 2017 r. 3D flash mają mieć 50 proc. udziału w produkcji, a w 2018 r. – już 80 proc. Zakład należy do Toshiby, poprzednio był zarządzany wspólnie z SanDiskiem, przejętym przez WD w br.

Planując zwiększenie produkcji pamięci Toshiba i WD rzucają wyzwanie Samsungowi, któy jest liderem rynku NAND. W 2015 r. zainwestował 12,8 mld dol. w półprzewodniki, w tym pamięci DRAM. Dwaj rywale chcą inwestować w podobnej skali. Fabryka ma produkować dwukrotnie więcej niż zakłady Samsunga. Wszystkie koncerny liczą na sowite zyski z rynku pamięci flash, który do 2020 r. ma urosnąć 6-krotnie w porównaniu do 2015 r., biorąc pod uwagę pojemność pamięci.

Dla Toshiby to kluczowa sprawa. Półprzewodniki zdefiniowano jako jeden z 3 najważniejszych segmentów, na których ma koncentrować zrestrukturyzowane przedsiębiorstwo. Firma chce być numerem 2 na światowym rynku pamięci flash.